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如何有效减少或转移ESD对微电子领域的危害

发布日期：2016/4/29 文章发布：博瑞思

　　要减少或转移ESD对微电子领域的危害，首先要对相关机理有着深入的了解。ESD引起失效的模式一般分为两种：
　　一.硬失效，物质损伤或毁坏；
　　二.软失效，逻辑功能的临时改变，（潜在失效，时间依赖性失效）。
　　目前，潜在失效仍然是最具争议的一种ESD损伤类型。对于潜在失效存在两种观点：一些人认为潜在失效是有可能存在的，但只有非常低的发生概率；而一部分人认为ESD引起半导体器件损伤使器件立即失效的概率约为10%，因此有90%的器件存在潜在失效的可能。
　　引起这些失效的因素可以分为热失效和电失效。热失效是指ESD事件发生时，局部产生几安培到几十安培的大电流，虽然持续的时间可能为几纳秒到几百纳秒，但产生的大量热量会使局部的金属互连线熔化或使芯片出现热斑，从而引起二次击穿。电失效是指施加在栅氧化层上的电压形成的电场强度大于其介电强度，导致介质击穿或表面击穿。
　　针对以上ESD损伤机理，ESD防护可以从三个不同的层面进行：
　　A.从源头上防止静电的产生，减少甚至消除静电积累；
　　B.片外ESD防护，即利用外围器件来保护芯片，使其免受ESD伤害；
　　C.片上ESD防护，即将ESD防护电路集成到芯片上，提高芯片自身的防护能力。
　　那么，如何控制静电荷的产生与积累，防止危险静电源的形成以及使用静电度低的物质，降低具体场所由于静电造成的危害程度，采用综合防护技术，防止ESD能量耦合。具体的防护措施以及ESD引起失效的模式硬失效和软失效等问题请咨询深圳博瑞思。

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